[发明专利]一种用于光电催化的三维花状的CuWO4

摘要

本发明公开一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法。本发明可达到光电流密度有明显的提高，包括以下步骤：1将偏钨酸铵加入到无水乙醇中，磁力搅拌，加入氯化铜，继续搅拌得到CuWO4前驱体溶胶；2将FTO导电玻璃在步骤1中制得的CuWO4前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥；重复镀膜，将完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥；将样品退火处理，得到CuWO4薄膜；3通过NiSO4制得NiOOH沉积液；4进行电化学沉积处理得到CuWO4/NiOOH，随后用无水乙醇、蒸馏水反复冲洗，烘干，得到三维花状的CuWO4/NiOOH复合薄膜。本发明制备方法简单可行，原料成本低，光电流密度明显提高。

主权项

1.一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将偏钨酸铵加入到无水乙醇中，室温下磁力搅拌，加入氯化铜，继续搅拌后得到CuWO4前驱体溶胶；(2)将干净的FTO导电玻璃在步骤(1)中制得的CuWO4前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥；重复镀膜，将完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥；将烘干的样品退火处理，得到CuWO4薄膜；(3)通过NiSO4制得NiOOH沉积液；(4)以步骤(2)制得的CuWO4薄膜为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，电解液为步骤(3)所制得的NiOOH沉积液，进行电化学沉积处理，得到CuWO4/NiOOH；随后将CuWO4/NiOOH用无水乙醇、蒸馏水反复冲洗，烘干，得到三维花状的CuWO4/NiOOH复合薄膜。