[发明专利]一种压接式双芯GCT的封装结构有效
申请号: | 201811177956.3 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109545753B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 王彩琳;安静;杨晶 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L23/057 | 分类号: | H01L23/057;H01L23/367 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 王奇 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种压接式双芯GCT的封装结构,由上至下依次包括金属管盖、阳极钼片、双芯GCT芯片、阴极钼片、内门极套件与外门极套件、金属管座压接而成;在外圆表面,内门极套件与外门极套件与金属管盖之间设置有上陶瓷环,内门极套件与外门极套件与金属管座之间设置有下陶瓷环。本发明的封装结构,内门极套件与外门极套件通过环形绝缘座上的凹槽互连配合,将双门极电流信号相互隔离并引出至管壳外,分别与驱动电路板相接,整体结构紧凑,热、电可靠性高,完全满足双芯GCT的实用化要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 压接式双芯 gct 封装 结构 | ||
【主权项】:
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