[发明专利]一种提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法有效
| 申请号： | 201811178833.1 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109446595B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孔武斌;高学鹏;曲荣海;于子翔;俞志跃;高慧达 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/398 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，包括：获得碳化硅逆变器的物理结构参数，并由此建立逆变器的三维模型，从而得到基础三维模型；在基础三维模型中设置导体的材料属性以及电流流入位置和电流流出位置；仿真电路运行情况，以提取寄生电感和寄生电阻；在基础三维模型中设置导体的材料属性，并分别设置正直流母线与参考地之间、负直流母线与参考地之间以及逆变器各桥臂中点与散热器之间的电压差；仿真电路运行情况，以提取寄生电容。本发明能够在逆变器的设计过程中通过软件仿真的方法准确提取逆变器的寄生参数，以降低生产成本，并缩短制作周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 碳化硅 逆变器 寄生 参数 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提取碳化硅逆变器的寄生参数的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)获得碳化硅逆变器的物理结构参数，并由此建立逆变器的三维模型，从而得到基础三维模型；(2)在所述基础三维模型中设置导体的材料属性以及电流流入位置和电流流出位置；仿真电路运行情况，以分别提取直流母排正负极板的寄生电感和寄生电阻，以及各开关管的寄生电感和寄生电阻；(3)在所述基础三维模型中设置导体的材料属性，并分别设置正直流母线与参考地之间、负直流母线与参考地之间以及逆变器各桥臂中点与散热器之间的电压差；仿真电路运行情况，以提取正直流母线与参考地之间、负直流母线与参考地之间以及逆变器各桥臂中点与散热器之间的寄生电容；其中，所述碳化硅逆变器中各开关管均为碳化硅MOSFET。
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