[发明专利]半导体制造装置以及制造存储器件的方法在审
| 申请号： | 201811180725.8 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109698268A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李俊明;金哉勋;朴容星;吴世忠;郑峻昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体制造装置以及制造存储器件的方法。该半导体制造装置包括转移室、连接到转移室的第一工艺室、以及连接到转移室的第二工艺室。转移室可以配置为转移基板。第一工艺室可以配置为在第一温度执行用于氧化基板上的金属层的第一氧化工艺。第二工艺室可以配置为在高于第一温度的第二温度执行用于氧化基板上的金属层的第二氧化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺室 转移室 半导体制造装置 存储器件 氧化工艺 氧化基板 金属层 配置 转移基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，包括：转移室，配置为转移基板；第一工艺室，连接到所述转移室，所述第一工艺室配置为在第一温度执行用于氧化所述基板上的第一金属层的第一氧化工艺；以及第二工艺室，连接到所述转移室，所述第二工艺室配置为在高于所述第一温度的第二温度执行用于氧化所述基板上的第二金属层的第二氧化工艺。
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