[发明专利]基于二硫化钼晶体管的光控开关电路在审
| 申请号： | 201811181370.4 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109347469A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 林珍华;常晶晶;张冰娟;苏杰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/785 | 分类号： | H03K17/785;H01L31/113;H01L31/032 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于二硫化钼晶体管的光控开关电路，主要解决现有光控开关电路不能在超低光强度下工作的问题。其包括NPN三极管Q1，PNP三极管Q2，LED发光管，二硫化钼晶体管VT，两个分压电阻，开关和电源。VT的栅极通过第一分压电阻R1连接到电源正极，VT的漏极与Q1的基极连接，VT的源极连接到电源负极，Q1的发射极连接电源负极，Q1的集电极与Q2的基极连接并通过第二分压电阻R2连接电源正极，Q2的发射极连接电源正极，Q2的集电极通过LED连接电源负极，开关与电源串联。本发明通过利用二硫化钼晶体管提高了灵敏度，可探测超低强度光，并能在很小电流和很低电压的条件下工作，可用于光电集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 晶体管 光控开关电路 分压电阻 发射极连接电源 正极 电源负极 基极连接 集电极 光电集成电路 负极 低强度光 电源串联 电源正极 连接电源 源极连接 灵敏度 低电压 可探测 低光 可用 漏极 电源 | ||
【主权项】：
1.一种基于二硫化钼晶体管的光控开关电路，包括NPN三极管Q1，PNP三极管Q2，LED发光管和电位缓冲调节网络L，NPN三极管Q1的基极通过电位缓冲调节网络L连接到电源负极，并通过第一分压电阻R1连接到电源正极，Q1的发射极连接到电源负极，Q1的集电极与Q2的基极连接并通过第二分压电阻R2连接到电源正极，Q2的发射极连接到电源正极，Q2的集电极通过LED发光管连接到电源负极，其特征在于：电位缓冲调节网络L采用二硫化钼晶体管VT，该二硫化钼晶体管VT的栅电极通过第一分压电阻R1连接到电源正极，其源极连接到电源负极，其漏极连接到Q1的基极，当光照射到二硫化钼晶体管VT时，光电流使得VT的源漏电流增大，从而使NPN三极管Q1的基极电流增大而导通，控制三极管Q2的基极偏压降低而导通，使得LED发光管发光；当无光照射到二硫化钼晶体管VT时，该VT管截止，控制NPN三极管Q1截止，使得PNP三极管Q2的基极偏压升高而截止，控制LED发光管熄灭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811181370.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
