[发明专利]用于原子层沉积的系统和方法有效
申请号: | 201811181548.5 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109666921B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | E·J·C·刘 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 王永伟;赵蓉民 |
地址: | 荷兰,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 原子层沉积(ALD)方法可以包含将第一反应物蒸气脉冲输送到反应器组件中。向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气。以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体。借助于第一进料管线将所述第一反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件。通过以高于所述第一流动速率的第二流动速率向所述第一非活性气体管线供应所述非活性气体来吹扫所述反应器组件。可以将所述非活性气体的第一部分沿着所述第一反应物气体管线的扩散屏障部分反向馈送以提供在所述第一非活性气体管线上游的惰性气体阀(IGV)。可以借助于所述第一进料管线将所述非活性气体的第二部分馈送到所述反应器组件。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积(ALD)方法,包括:将第一反应物蒸气脉冲输送到反应器组件中,所述脉冲输送包括:向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气;以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体;和借助于第一进料管线将所述第一反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件;以及吹扫所述反应器组件,所述吹扫包括:以高于所述第一流动速率的第二流动速率向所述第一非活性气体管线供应所述非活性气体;将所述非活性气体的第一部分沿着所述第一反应物气体管线的扩散屏障部分反向馈送以提供在所述第一非活性气体管线上游的惰性气体阀(IGV);和借助于所述第一进料管线将所述非活性气体的第二部分馈送到所述反应器组件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的