[发明专利]一种局部寄存器的生成方法及生成系统有效
| 申请号： | 201811182556.1 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109885850B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 高帅;侯旭;王颀;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/327 | 分类号： | G06F30/327;G06F30/367;G06F30/392;G06F30/394 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种局部寄存器的生成方法及生成系统，其中，所述局部寄存器的生成方法基于预设脚本实现局部寄存器的快速设计，降低了局部寄存器在设计过程中需要消耗的时间和人力成本，有效减少了人员投入并且缩短了设计周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 寄存器 生成 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种局部寄存器的生成方法，其特征在于，应用于基于MCU的三维存储器，所述局部寄存器的生成方法包括：获取目标局部寄存器的表格模板文件信息，所述表格模板文件信息根据所述目标局部寄存器创建，存储有所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息；利用预设脚本提取所述表格模板文件信息，以获得所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息；利用所述预设脚本，根据所述目标局部寄存器的模拟电路的结构信息，生成关于所述目标局部寄存器的硬件描述语言文件；利用电子设计自动化EDA工具，根据预设的多个库文件综合所述硬件描述语言文件中的寄存器转换级电路，利用标准单元搭建所述目标局部寄存器的控制电路，所述多个库文件根据多种类型的预设器件的电路及版图生成，每个所述库文件与一种类型的预设器件对应，且包含与对应的预设器件的时序信息，所述预设器件为基本寄存器或脉冲生成器；利用所述控制电路，例化基本寄存器和脉冲生成器，以获得所述目标寄存器的门级网表。
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