[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811183212.2 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109378345A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孟小龙;张瑞军 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管中，通过在基板上依次形成栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、漏极层以及钝化层，钝化层形成在栅极绝缘层、源极层、漏极层以及沟道区的半导体层上，其中对应于沟道区的钝化层具有凹凸表面，通过上述方式，能够确保开口率的同时，可以减少照射到薄膜晶体管的半导体层沟道区上的光线，有利于提升薄膜晶体管的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体层 钝化层 沟道区 栅极绝缘层 漏极层 源极层 凹凸表面 开口率 栅极层 基板 制造 照射 申请 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的栅极层；形成于所述基板上、且覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括沟道区；形成于所述半导体层上的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔所述沟道区而相对设置；形成于所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上的钝化层；其中，对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。
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