[发明专利]批次型扩散沉积方法在审
| 申请号： | 201811183737.6 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048409A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种批次型扩散沉积方法，包括步骤：1)提供反应腔室，内放置有若干待处理晶圆；2)以第一升温速率对反应腔室进行升温，在升温到第一温度后通入反应气体，以在晶圆表面沉积第一膜层；3)以第一降温速率对反应腔室进行降温，同时在降温过程中继续通入反应气体，以沉积第二膜层；4)以第二升温速率对反应腔室进行升温，同时在升温过程中持续通入反应气体，以沉积第三膜层；5)以第二降温速率对反应腔室进行降温，同时在降温过程中继续通入反应气体，以沉积第四膜层；各阶段的温度均介于薄膜的生长温度范围内。本发明操作简单，可提高薄膜的品质和厚度均匀性，有利于后续工艺的进行，有助于提高设备产出率和生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 批次 扩散 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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