[发明专利]一种晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201811185428.2 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109461695A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郭松辉;沈新林;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供至少两片表面包括氧化硅层的晶圆；对其中至少一片晶圆的氧化硅层进行氨化处理，以在氧化硅层的表面形成氨基介质层；通过氨基介质层将晶圆键合，以在晶圆键合面形成超临界状态的氨气。从而在较低的反应温度及反应压强的条件下，减小气泡尺寸，提高产品质量及产率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 氨基 晶圆键合 介质层 晶圆 圆键 种晶 氨气 超临界状态 氨化处理 表面形成 反应压强 产率 减小 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供至少两片晶圆，所述晶圆的表面包括氧化硅层；对至少一片所述晶圆的氧化硅层进行氨化处理，以在所述氧化硅层的表面形成氨基介质层；通过所述氨基介质层将所述晶圆键合，以在所述晶圆键合面形成超临界状态的氨气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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