[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法。相对于现有4M制程，通过改变半透光光罩的结构设计，在用于图形化源漏极金属层和半导体层的光阻层的边缘形成厚度减小的边缘部，使得光阻层边缘薄化，从而使得光阻层的宽度在后续制程中易于缩减，进而使得金属导线结构边缘的半导体层易于在干刻时被蚀刻，减轻源漏极边缘有源层拖尾的问题，获得更为精细的金属导线结构，达到提高TFT光学稳定性和电学性能、开口率、可靠性以及减低功耗的目的，提高TFT阵列基板的整体性能，可以在现有4M制程基础上，解决或减少源漏极边缘存在不定形硅和重掺杂硅的残留问题。

主权项

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、半导体层(40)及源漏极金属层(50)；步骤S2、提供一半透光光罩(90)，在所述源漏极金属层(50)上涂布光阻材料，利用所述半透光光罩(90)对光阻材料进行曝光、显影，得到光阻层(80)，所述光阻层(80)包括相互间隔的第一光阻图形(81)、第二光阻图形(82)及第三光阻图形(83)；所述第一光阻图形(81)、第二光阻图形(82)及第三光阻图形(83)均包括中间部(811)以及位于中间部(811)两侧的边缘部(812)；所述第一光阻图形(81)的中间部(811)还设有凹槽(813)；所述边缘部(812)的厚度小于中间部(811)的厚度；所述中间部(811)对应后续形成的源漏极(55)；所述边缘部(812)对应后续形成的金属导线结构(54)边缘的半导体层(40)；所述凹槽(813)对应后续形成的沟道；步骤S3、进行第一次湿刻，由所述源漏极金属层(50)形成金属导线结构(54)；步骤S4、进行第一次干刻，由半导体层(40)形成有源层结构(44)；步骤S5、对所述光阻层(80)进行灰化处理，减薄光阻层(80)的厚度直至凹槽(813)暴露出金属导线结构(54)；步骤S6、进行第二次湿刻，由所述金属导线结构(54)形成源漏极(55)；步骤S7、进行第二次干刻，在有源层结构(44)上形成沟道，得到有源层(45)，形成TFT结构。