[发明专利]半导体元件在审
申请号: | 201811185802.9 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109841620A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 江国诚;蔡庆威;程冠伦;王志豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体元件,例如鳍式场效应晶体管装置包含鳍片,设置在鳍片侧表面处的磊晶层,设置在磊晶层和鳍片上的接触。接触包含磊晶接触部分和设置在磊晶接触部分上的金属接触部分。磊晶接触部分的掺杂浓度高于磊晶层的掺杂浓度。 | ||
搜索关键词: | 磊晶层 磊晶 鳍片 半导体元件 掺杂 鳍式场效应晶体管 金属接触 侧表面 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件,其特征在于,包含:一n型装置,包含:一第一鳍片,设置在一基板上;一第一磊晶层,设置在该第一鳍片的一侧壁上;以及一第一接触,设置在该第一鳍片和该第一磊晶层上,该第一接触包含一磊晶接触部分和设置在该磊晶接触部分上的一金属接触部分,其中该第一磊晶层和该磊晶接触部分之间具有一界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811185802.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的