[发明专利]半导体元件在审

专利信息
申请号: 201811185802.9 申请日: 2018-10-11
公开(公告)号: CN109841620A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 江国诚;蔡庆威;程冠伦;王志豪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L21/8234
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体元件,例如鳍式场效应晶体管装置包含鳍片,设置在鳍片侧表面处的磊晶层,设置在磊晶层和鳍片上的接触。接触包含磊晶接触部分和设置在磊晶接触部分上的金属接触部分。磊晶接触部分的掺杂浓度高于磊晶层的掺杂浓度。
搜索关键词: 磊晶层 磊晶 鳍片 半导体元件 掺杂 鳍式场效应晶体管 金属接触 侧表面
【主权项】:
1.一种半导体元件,其特征在于,包含:一n型装置,包含:一第一鳍片,设置在一基板上;一第一磊晶层,设置在该第一鳍片的一侧壁上;以及一第一接触,设置在该第一鳍片和该第一磊晶层上,该第一接触包含一磊晶接触部分和设置在该磊晶接触部分上的一金属接触部分,其中该第一磊晶层和该磊晶接触部分之间具有一界面。
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