[发明专利]增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法在审
| 申请号： | 201811187009.2 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109473355A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;刘鹏飞;闫宏丽;刘杰;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法，该方法在芯片背面相对应正面的主结区域，形成N注入区，将原来寄生的PNP三极管，变成一个PIN的结构，有效抑制雪崩过程中，发生二次击穿造成单管损坏。本发明在逆导型IGBT背面注入的时候，在对应主结区域，注入一圈N+区域，抑制了逆导型IGBT雪崩过程的二次击穿特性，大大提高逆导型IGBT的雪崩耐受能力，且不增加任何成本。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 二次击穿 雪崩过程 雪崩耐量 主结 耐受能力 芯片背面 有效抑制 单管 雪崩 背面 | ||
【主权项】：
1.增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法，其特征在于：该方法在芯片背面相对应正面的主结区域，形成N注入区，将原来寄生的PNP三极管，变成一个PIN的结构，有效抑制雪崩过程中，发生二次击穿造成单管损坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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