[发明专利]反并联二极管装置有效
| 申请号： | 201811187244.X | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110783328B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 赵传珍 | 申请（专利权）人： | 立积电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 刘民选 |
| 地址： | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种反并联二极管装置。所述反并联二极管装置包括第一半导体、第二半导体、第三半导体以及第三二极管。第一半导体的导电型为第一导电型，而第二半导体的导电型与第三半导体的导电型为第二导电型。第二半导体接触于第一半导体，使得第一半导体与第二半导体形成第一二极管。第三半导体接触于第一半导体，使得第一半导体与第三半导体形成第二二极管。第三二极管的第一端电性连接至第一半导体。第三二极管的第一端的导电型为第二导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 二极管 装置 | ||
【主权项】：
1.一种反并联二极管装置，其特征在于，包括：/n一第一半导体，其中该第一半导体为一第一导电型；/n一第二半导体，接触于该第一半导体，其中该第二半导体为一第二导电型，以及该第一半导体与该第二半导体形成一第一二极管；/n一第三半导体，接触于该第一半导体，其中该第三半导体为该第二导电型，以及该第一半导体与该第三半导体形成一第二二极管；以及/n一第三二极管，具有一第一端电性连接至该第一半导体，其中该第三二极管的该第一端的导电型为该第二导电型。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
