[发明专利]一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法有效
| 申请号： | 201811187630.9 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109545673B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法，包括：将表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片，在通有无氧气氛的高温炉中在810‑1050℃温度范围进行扩散；在扩散结束后将炉温降到700‑800℃，通入氧气体积浓度2%的气氛，进行20‑200min的退火处理。本发明杜绝了氧通过扩散步骤进入硅片的可能性，另外可改善硅片中的杂质分布状态，提高硅片的少子寿命；杜绝了氧向硅片的扩散及掺杂层中元素的不可控的扩散。本发明适用于n型晶体硅片上制备p型晶体硅扩散层、n型晶体硅扩散层；也适合在p型晶体硅片上制备n型晶体硅扩散层、p型晶体硅扩散层。既适用于制备单晶硅太阳电池，也适用于制备多晶硅太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 用无氧 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法，其特征是包括以下步骤：（1）将表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片，在通有无氧气氛的高温炉中在810‑1050℃温度范围进行扩散；（2）在扩散结束后将炉温降到700‑800℃之间，通入氧气体积浓度>2%的气氛，进行20‑200min的退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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