[发明专利]超结MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811187899.7 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109494246B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 肖晓军;周宏伟;张园园;徐永年;任文珍 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超结MOSFET结构及其制造方法，该方法通过对具有高深宽比超结结构的P柱进行间隔刻蚀，刻蚀后再进行N型外延，使被刻蚀的P柱浮置于Pbody下方，为上方的Pbody浓度调整及阈值电压调整提供可优化空间，减少pbody间的颈区电阻。本发明结构的栅漏电容相对常规超结结构偏大，并且随漏源电压变化平缓，可有效降低器件的EMI影响，同时本发明结构可有效降低器件的Coss,减小Eoss,提升器件工作的转换效率，为阈值电压及雪崩耐久性的优化调整提供了设计和工艺空间。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：该方法通过对具有高深宽比超结结构的P柱进行间隔刻蚀，刻蚀后再进行N型外延，使被刻蚀的P柱浮置于Pbody下方，为上方的Pbody浓度调整及阈值电压调整提供可优化空间，减少pbody间的颈区电阻。
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