[发明专利]R－T－B系烧结磁体及其制造方法

摘要

本发明提供一种降低了重稀土元素的含量并且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。本公开的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Si系合金的工序；和使上述合金中的至少一部分与上述烧结体的表面中的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中，以450℃以上1100℃以下的温度实施热处理的工序。

主权项

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Si系合金的工序；和使所述R2－Si系合金中的至少一部分与所述R1－T1－B系烧结体的表面中的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中，以450℃以上1100℃以下的温度实施热处理的工序，在所述R1－T1－B系烧结体中，R1为稀土元素中的至少一种，必须包含Nd和Pr中的至少一种，R1的含量为R1－T1－B系烧结体整体的27质量％以上35质量％以下，T1为Fe、或者Co、Al、Mn、Si中的至少一种和Fe，Fe相对于T1整体的含量为80质量％以上，T1相对于B的摩尔比[T1]/[B]为超过14.0且15.0以下，在所述R2－Si系合金中，R2为稀土元素中的至少一种，必须包含Pr，R2的含量为R2－Si系合金整体的74.4质量％以上96.6质量％以下，且Pr相对于稀土元素整体的比率高于R1－T1―B系烧结体的Pr相对于稀土元素整体的比率，Si的含量为R2－Si系合金整体的0.7质量％以上14.0质量％以下。