[发明专利]半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法

摘要

本文描述的实施例大体上涉及半导体存储器装置及制造所述半导体存储器装置的方法。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含堆叠体、存储器柱、第一及第二绝缘层及隔离区。衬底上方的所述堆叠体包含彼此隔离并且沿与所述衬底表面交叉的第一方向堆叠的导电层。所述存储器柱沿所述第一方向延伸穿过所述堆叠体。所述第一绝缘层设置在所述存储器柱上方。所述隔离区沿所述第一方向设置为高于所述堆叠体中的所述存储器柱的上表面，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上隔离所述堆叠体。所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层及所述隔离区的侧壁上。

主权项

1.一种半导体存储器装置，其包括：堆叠体，其设置在衬底上方，其中导电层彼此隔离并沿与所述衬底的表面交叉的第一方向堆叠；存储器柱，其沿所述第一方向延伸穿过所述堆叠体；第一绝缘层，其设置在所述存储器柱上方；隔离区，其沿所述第一方向设置为高于所述堆叠体中的所述存储器柱的上表面，所述隔离区在与所述第一方向交叉的第二方向上隔离所述堆叠体；及第二绝缘层，其设置在所述第一绝缘层及所述隔离区的侧壁上。