[发明专利]一种宽频段复合隔磁片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811190876.1 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109243755B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 顾正青;韩朝庆;计建荣 | 申请（专利权）人： | 苏州世诺新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/00 | 分类号： | H01F7/00;H01F1/147;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种宽频段复合隔磁片及其制备方法，宽频段复合隔磁片具有纳米晶薄片与Y2Co17‑xMx薄片多层交替结构；主要工艺步骤纳米晶薄片制备、Y |
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| 搜索关键词： | 一种 宽频 复合 磁片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种宽频段复合隔磁片，其特征在于：具有纳米晶薄片与Y2Co17‑xMx薄片多层交替结构，其中M=Cu、Ni、Mn、Fe，0.1≤x≤2；以及层与层之间通过双面胶粘连。
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