[发明专利]一种集成磁结构有效
| 申请号： | 201811190895.4 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109655767B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | J·毕尔巴鄂德蒙迪扎巴尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/04;G01R33/10;G01R33/07;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;黄嵩泉 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成磁结构。本发明描述了一种包括集成在平面基底上的至少三个磁通集中器部分的磁传感器，其中，每部分与其他部分中的至少之一相邻，并被间隙分隔开。该磁传感器至少包括第一感测元件并至少包括第二感测元件，其中，第一感测元件定位为用于感测第一部分与第二部分之间的间隙内或该间隙附近的磁通密度，第二感测元件定位为用于感测第一部分与至少另一部分之间的间隙内或该间隙附近的磁通密度。该磁传感器进一步包括进一步的感测元件，布置成用于测量与基底垂直的方向上的磁场的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，包括集成在限定了平面(100)的基底上的至少三个磁通集中器部分(103、104、105、403、404、405、406、801、802、803、811、812、813、1100、1110)，所述至少三个磁通集中器部分中的每一部分都与其他部分中的至少一个部分相邻，并被间隙(106、107、108、814、815、1103、1104、1114)分隔开；所述磁传感器至少包括第一磁感测元件(101、901、1101)并至少包括第二磁感测元件(102、902、1102)，其中，所述第一磁感测元件定位为用于测量第一部分(104、403、801、811)与第二部分(103、403、802、812)之间的间隙(106、903、913、1103、1113)内或第一部分(104、403、801、811)与第二部分(103、403、802、812)之间的间隙(106、903、913、1103、1113)附近的磁通密度，所述第二磁感测元件定位为用于测量所述第一部分(104、403、801、811)与第三部分(105、405、803、813)之间的间隙(107、904、914、1104、1114)内或所述第一部分(104、403、801、811)与第三部分(105、405、803、813)之间的间隙(107、904、914、1104、1114)附近的磁通密度；其中，所述磁传感器进一步包括布置成用于测量与所述基底(100)垂直的方向上的磁场的变化的进一步的感测元件(701、702、711、712、1105、1106)。
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