[发明专利]一种MPCVD设备基片台控温装置及方法

摘要

本发明公开了一种MPCVD设备基片台控温装置，包括位于中心的圆形基片台和多个同心环形基片台，所述圆形基片台和多个同心环形基片台间具有相同的中心轴，相邻基片台的间隔距离为1mm‑10mm，每个基片台配置单独的冷却水路，所述冷却水路可通过控制通入冷却水的流速、流量，控制基片台的冷却速度。通过控制基片台的温度，调节控制金刚石生长过程中基底的温度，进而在金刚石沉积过程中控制基板温度。在金刚石生长过程中，通过控制散热对金刚石表面温度进行控制，使沉积过程中各颗金刚石表面温度接近，这样，同一批次生产的金刚石的生长速率以及品质一致，有利于批量生产。

主权项

1.一种MPCVD设备基片台控温装置，其特征在于包括位于中心的圆形基片台和多个环形基片台，所述的多个环形基片台套在圆形基片台外围，每个基片台配置单独的冷却介质冷却流道。