[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811192019.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109671709B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 全南镐;李进成;李炫静;禹东秀;许栋圭;洪载昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器装置及一种制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：装置隔离层，界定衬底的有源区；以及栅极线，掩埋在衬底中且穿过有源区延伸。栅极线中的每一者包括：导电层；衬层，设置在导电层与衬底之间且将导电层与衬底分隔开；以及第一逸出功调整层，设置在导电层及衬层上。第一逸出功调整层包含第一逸出功调整材料。第一逸出功调整层的逸出功小于导电层及衬层的逸出功。本发明的半导体存储器装置具有增强的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：装置隔离层，界定衬底的有源区；以及栅极线，掩埋在所述衬底中且穿过所述有源区延伸，其中所述栅极线中的每一者包括：导电层；衬层，设置在所述导电层与所述衬底之间且将所述导电层与所述衬底分隔开；以及第一逸出功调整层，设置在所述导电层及所述衬层上，所述第一逸出功调整层包含第一逸出功调整材料，其中所述第一逸出功调整层的逸出功小于所述导电层及所述衬层的逸出功。
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