[发明专利]光刻机的焦距监控光罩及方法有效
申请号: | 201811195014.8 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109188855B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 陈成;朱晓斌;蔡亮 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻机的焦距监控光罩,包括:多个具有平面式结构的第一种图形结构和多个由平面式结构和楔型结构叠加而成第二种图形结构,楔型结构能使光线方向和光程改变;第一和二种图形结构排列成对应的阵列结构;光刻机的焦距由通过第一种图形结构曝光形成的第一种曝光图形和由第二种图形结构曝光形成的第二种曝光图形的叠加图形的套准进行测量得到,楔型结构对光线方向的改变使焦距的纵向变化转移到横向上使套准计算焦距得以实现;所有第二种图形结构的楔型结构的楔型方向设置相同。本发明还公开了一种光刻机的焦距监控方法。本发明能增加用于焦距测量的叠加图形的数量增加以及分布位置,提高对焦距的模拟计算的精确性,且成本低易实现。 | ||
搜索关键词: | 光刻 焦距 监控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻机的焦距监控光罩,其特征在于,包括:多个第一种图形结构,具有能使光线直线穿过的平面式结构;多个第二种图形结构,由平面式结构和楔型结构叠加而成,所述第二种图形结构的平面式结构和所述第一种图形结构的平面式结构相同;所述第二种图形结构的所述楔型结构的底部表面覆盖所述平面式结构的顶部表面,所述楔型结构能使光线方向和光程改变;多个所述第一种图形结构和所述第二种图形结构的平面式结构在焦距监控光罩排列成阵列结构;在对应的所述平面式结构上设置所述楔型结构形成所述第二种图形结构的阵列结构;光刻机的焦距由通过所述第一种图形结构曝光形成的第一种曝光图形和由所述第二种图形结构曝光形成的第二种曝光图形的叠加图形的套准进行测量得到,所述楔型结构对光线方向的改变使所述焦距的纵向变化转移到横向上,通过对所述叠加图形在横向上的套准计算得到所述焦距;所有所述第二种图形结构的楔型结构的楔型方向设置相同,使得用于焦距测量的所述叠加图形的数量增加以及分布位置增加,提高对所述焦距的模拟计算的精确性。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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