[发明专利]用于解决电迁移的布局构造

摘要

本发明涉及用于解决电迁移的布局构造。具有各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管的CMOS器件包括一互连级上的在长度方向上延伸以将PMOS漏极连接在一起的第一互连。该互连级上的第二互连在长度方向上延伸以将NMOS漏极连接在一起。至少一个附加互连级上的一互连集合将第一互连和第二互连耦合在一起。该互连级上的第三互连垂直于长度方向延伸并且偏离该互连集合以将第一互连和第二互连连接在一起。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括各自具有p型金属氧化物半导体(PMOS)漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有n型金属氧化物半导体(NMOS)漏极的多个NMOS晶体管，所述CMOS器件包括：一互连级上的将所述PMOS漏极的第一子集连接在一起的第一互连；所述互连级上的将所述PMOS漏极的第二子集连接在一起的第二互连，所述PMOS漏极的第二子集不同于所述PMOS漏极的第一子集，所述第一互连和所述第二互连在所述互连级上断开连接；所述互连级上的将所述NMOS漏极的第一子集连接在一起的第三互连；所述互连级上的将所述NMOS漏极的第二子集连接在一起的第四互连，所述NMOS漏极的第二子集不同于所述NMOS漏极的第一子集，所述第三互连和所述第四互连在所述互连级上断开连接，其中所述第一互连、所述第二互连、所述第三互连和所述第四互连通过至少一个其他互连级来耦合在一起；以及所述互连级上的一个或多个附加互连，所述一个或多个附加互连将至少所述第一互连与所述第三互连连接在一起并且将所述第二互连与所述第四互连连接在一起以提供与通过所述至少一个其他互连级的电流路径并联的一个或多个电流路径。