[发明专利]半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201811195386.0 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111048470B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 韦承宏;陈宏生 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在基底上形成第一金属图案，其中第一金属图案位于基底的芯片区与切割区内，且切割区围绕芯片区；在第一金属图案上形成金属材料层；图案画金属材料层，以移除金属材料层的位于切割区内的实质上所有部分以及位于芯片区内的一部分，从而形成位于芯片区内的第二金属图案；形成第三金属图案，其中第三金属图案覆盖芯片区内的第二金属图案，且位于切割区内的第一金属图案上；以及沿切割区进行单体化，以形成半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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