[发明专利]Flash器件及其制备方法

摘要

本发明实施例提出一种Flash器件的多晶硅残留的改善方法，包括：提供衬底，衬底上形成有浮栅多晶层、浮栅氧化层以及隧穿氧化层；浮栅多晶层形成于衬底上，浮栅氧化层形成于衬底与浮栅多晶层之间，衬底上以及浮栅多晶层上形成连续的隧穿氧化层；其中，位于浮栅多晶层其中一侧的衬底区域为第一衬底区，第一衬底区用于形成源极掺杂区；位于浮栅多晶层另一侧的衬底区域为第二衬底区，第二衬底区用于形成漏极掺杂区；在第一衬底区上的隧穿氧化层上形成连续的不导电层，不导电层延伸至浮栅多晶层侧壁的隧穿氧化层上；在隧穿氧化层上形成多晶硅层，以形成控制栅,作为Flash器件的字线。