[发明专利]金属层间介质膜层的形成方法

摘要

本发明提供了一种金属层间介质膜层的形成方法，包括：提供具有金属层的晶圆，所述金属层具有间隔；所述第一步沉积在所述间隔中形成间隙；所述第二步沉积的偏置射频的功率高于所述第一步沉积的偏置射频的功率，所述第二步沉积中的硅烷的气体流量以及氧气的气体流量均低于所述第一步沉积中的硅烷的气体流量以及氧气的气体流量。在本发明提供的金属层间介质膜层的形成方法中，在第一步沉积在采用较弱的偏置射频可快速生长二氧化硅并在间隔中形成间隙，可起到保护金属的作用，在第二步沉积的偏置射频的功率高于第一步沉积的偏置射频的功率，同时降低反应气体的气体流量，从而具有较佳的填充能力可控制间隙高度，可防止金属层间发生电弧击穿。

主权项

1.一种金属层间介质膜层的形成方法，其特征在于，所述金属层间介质膜层的形成方法包括：提供一晶圆，所述晶圆表面具有金属层，所述金属层具有深宽比为0.4～0.675的间隔；在所述金属层上进行第一步沉积，所述第一步沉积的偏置射频的功率为2200W～2600W，所述第一步沉积采用的气体包括硅烷和氧气，所述第一步沉积形成的介质膜层的厚度为所需介质膜层厚度的60％～90％，所述第一步沉积在所述间隔中形成间隙；在所述金属层上进行第二步沉积，所述第二步沉积的偏置射频的功率高于所述第一步沉积的偏置射频的功率，所述第二步沉积采用的气体也包括硅烷和氧气，所述第二步沉积中的硅烷的气体流量以及氧气的气体流量均低于所述第一步沉积中的硅烷的气体流量以及氧气的气体流量。