[发明专利]晶圆工艺条件的控制系统及控制方法

摘要

本发明公开了一种晶圆工艺条件的控制系统及控制方法，根据在化学气相沉积工艺的时间和温度等条件一定的情况下，晶圆表面沉积薄膜的厚度与其对应的光罩透光率呈线性负相关，先统计分析同一批次晶圆对应的光罩透光率范围，再针对每个晶圆，根据晶圆对应的光罩透光率在整个光罩透光率范围中所处的位置确定调整所述晶圆的工艺时间和工艺温度：若所述光罩透光率越大，则所述晶圆的化学沉积时间越长，或者所述晶圆的化学沉积温度越高。如此，能最大限度度地对化学气相沉积工艺中同一批次晶圆的表面沉积薄膜的厚度进行补偿调节，使得化学气相沉积工艺中同一批次的多个晶圆的表面沉积薄膜的厚度一致。

主权项

1.一种晶圆工艺条件的控制系统，用于化学气相沉积工艺中晶圆工艺条件的选择控制，其特征在于，包括：采集模块，从数据库中采集所述晶圆对应的光罩透光率；处理模块，根据所述光罩透光率，并结合所述晶圆在反应炉中所处的位置，分析判断所述晶圆的工艺参数；输出模块，对外输出所述晶圆的工艺参数。