[发明专利]一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811198257.7 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109390409B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 谈嘉慧;彭宇飞;孙昌;钱俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件，包括一半导体衬底以及一位于所述半导体衬底上表面的沟道，还包括：一栅极；一源区；一漏区；一第一基极；一第二基极；一第一隔离槽；一第二隔离槽；一第三隔离槽；一埋氧层；一第一绝缘板；一第二绝缘板；一第一高压阱区域；一第二高压阱区域。还涉及一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件的制备方法。其优点在于，通过设置第一基极、第二基极、第一绝缘场板和第二绝缘场板，是HVMOS能够对开启电压和击穿电压进行调节且不影响饱和电流；通过SOI和STI结合，实现不同工艺节点的HVMOS。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 调式 高压 金属 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阈值可调式高压金属氧化物半导体器件，包括一半导体衬底以及一位于所述半导体衬底上表面的沟道，其特征在于，所述半导体衬底还包括：一栅极，所述栅极位于所述沟道上；一源区，所述源区位于所述沟道旁，所述源区包括一重掺杂源区，从所述重掺杂源区引出源极；一漏区，所述漏区位于所述沟道旁，所述漏区包括一重掺杂漏区，从所述重掺杂漏区引出漏极，所述重掺杂漏区与所述栅极通过一第三隔离槽隔离；一第一基极，所述第一基极包括一第一重掺杂基极区，所述第一基极与所述源区通过一第一隔离槽隔离；一第二基极，所述第二基极包括一第二重掺杂基极区，所述第二基极与所述漏区通过一第二隔离槽隔离；一埋氧层，所述埋氧层位于所述源区、所述沟道和所述漏区的下方，所述埋氧层位于所述第一隔离槽和所述第一隔离槽之间；一第一绝缘场板，所述第一绝缘场板位于所述埋氧层的下方，所述第一绝缘场板位于所述第一隔离槽靠近所述第二隔离槽的一侧；一第二绝缘场板，所述第二绝缘场板位于所述埋氧层的下方，所述第二绝缘场板位于所述第二隔离槽靠近所述第一隔离槽的一侧，所述第二绝缘场板与所述第一绝缘场板相邻；一第一高压阱区域，所述第一高压阱区域位于所述第一基极、所述一隔离槽和所述第一绝缘场板的下方；一第二高压阱区域，所述第二高压阱区域位于所述第二基极、所述第二隔离槽和所述第二绝缘场板的下方。
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