[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管结构及其制作方法，所述薄膜晶体管结构主要包含一基板、一栅极、一栅极绝缘层、一多晶硅层、一层间介电层、一源极及一漏极，其中所述多晶硅层的两端通过光阻灰阶掩膜技术(PR ashing),并通过乙硼烷处理形成一源极区及一漏极区，使得沟道避开结晶不完全区域，提高薄膜晶体管(TFT)器件的整体电性。

主权项

1.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，其包含以下步骤：提供一基板，及形成一栅极在所述基板上；形成一栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上，及形成一非晶硅层在所述栅极绝缘层上；对所述非晶硅层进行晶化，以形成一多晶硅层；涂布一光阻于所述多晶硅层上，曝光以图案化所述光阻，及对所述多晶硅层进行刻蚀；移除所述光阻的两端使其分别内缩一距离，并对所述光阻的两端所述多晶硅层暴露的部分进行一乙硼烷处理，所述多晶硅层的两端分别形成一源极区与一漏极区，使得沟道避开了结晶不完全区域；及移除所述光阻，沉积一层间介电层于所述多晶硅层及所述栅极绝缘层上，并在所述源极区的上方形成一源极穿孔、在所述漏极区上方形成一漏极穿孔、沉积一源极于所述源极穿孔内及所述层间介电层上以及沉积一漏极于所述漏极穿孔内及所述层间介电层上。