[发明专利]一种存储阵列结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201811198896.3 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109448775B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开提出一种存储阵列结构及其操作方法，该结构包括存储阵列、第一高压译码、第二高压译码、第一低压译码以及第二低压译码，其还包括：第一隔离电路，用于在隔离栅TCG和第零隔离字线或第一隔离字线的控制下，将第一低压译码输出的低压位线TBLD连接至第一位线BLD或使高压位线与对应的低压位线隔离；第二隔离电路，用于在隔离栅TCG和第二隔离字线或第三隔离字线的控制下，将第二低压译码输出的低压位线TBLU连接至第二位线BLU或使高压位线与对应的低压位线隔离；隔离电路之控制译码，用于产生控制所述第一/第二隔离电路的第零隔离字线、第一隔离字线、第二隔离字线和第三隔离字线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 阵列 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储阵列结构，包括存储阵列、第一高压译码、第二高压译码、第一低压译码以及第二低压译码，其特征在于，所述NORD闪存阵列结构还包括：第一隔离电路，用于在隔离栅TCG和第零隔离字线TWL0或第一隔离字线TWL1的控制下，将第一低压译码输出的低压位线TBLD连接至第一位线BLD或使高压位线与对应的低压位线隔离；第二隔离电路，用于在隔离栅TCG和第二隔离字线TWL2或第三隔离字线TWL3的控制下，将第二低压译码输出的低压位线TBLU连接至第二位线BLU或使高压位线与对应的低压位线隔离；隔离电路之控制译码，用于产生控制所述第一/第二隔离电路的第零隔离字线TWL0、第一隔离字线TWL1、第二隔离字线TWL2和第三隔离字线TWL3。
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