[发明专利]一种掩模板、晶圆、晶粒以及等离子刻蚀裂片的方法有效
| 申请号： | 201811198899.7 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109445245B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩模板、晶圆、晶粒以及等离子刻蚀裂片的方法，所述掩模板包括多个晶粒图形以及位于相邻的晶粒图形之间的切割道图形，所述切割道图形包括交叉位置图形和非交叉位置图形，所述交叉位置图形位于相邻四个晶粒图形之间，且与相邻的所述非交叉位置图形连接，所述晶粒图形和交叉位置图形为具有缺角的方形，以增加切割道交叉位置的面积，同时还降低了晶粒研磨过程中以及后续封装过程中晶粒之间相互碰撞的作用力，从而降低了晶粒碎裂的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模板 晶圆 晶粒 以及 等离子 刻蚀 裂片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模板，其特征在于，包括多个晶粒图形以及位于相邻的晶粒图形之间的切割道图形，所述切割道图形包括交叉位置图形和非交叉位置图形，所述交叉位置图形位于相邻四个晶粒图形之间，且与相邻的所述非交叉位置图形连接，所述晶粒图形和交叉位置图形均为具有缺角的方形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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