[发明专利]一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块在审

专利信息
申请号: 201811200060.2 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109391150A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 郑树义;沈毅 申请(专利权)人: 西安霍威电源有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块,包括外壳,其特征在于,其内设高压线性电路、欠压保护电路、输出预制检流电阻、恒流保护电路及控制芯片,采用两级拓扑结构;所述控制芯片包括软启动电路、内部振荡电路、最大占空比限制电路及轻载模式电路;所述控制芯片采用LM5022、LM5000及LM158;所述两级拓扑为单端反激拓扑及高压线性拓扑结构。本发明的优点是,本发明主要是靠内部芯片功能实现常用功能保护,次级肖特基二级管整流,大大提高了整机效率;同时,芯片功能的增强,大大减少了外围保护电路及控制电路,减小模块体积,从而为模块小型化和标准化奠定了技术基础。
搜索关键词: 控制芯片 输出模块 高功率 纳秒级 上升沿 方波 两级 输出 拓扑 恒流保护电路 内部振荡电路 欠压保护电路 线性拓扑结构 肖特基二级管 模块小型化 软启动电路 最大占空比 单端反激 功能保护 功能实现 技术基础 检流电阻 控制电路 模式电路 内部芯片 拓扑结构 限制电路 线性电路 芯片功能 整机效率 减小 轻载 预制 电路 标准化 外围
【主权项】:
1.一种高功率密度四路输出纳秒级上升沿方波式输出模块,其特征在于,其内设输入欠压保护电路、输出预制采样电阻及控制芯片,采用两级驱动进行功率MOS驱动,采用光耦调节三级管信号强度,采用4个功率MOS斩波进行四路输出,且通过四个驱动源分别控制;所述控制芯片用于双路驱动大电流输出,其内部驱动上升沿时间达到35ns,驱动上升沿为14ns,使得驱动上升沿理论值达到49ns;所述输入欠压保护电路通过输出电压取样R15、R6、R7、U1基准2脚FB端对输入取样进行比较,并将比较出的误差电压信号转换为驱动信号,驱动三极管Q2,使信号1点呈现高低电平,实现欠压控制;通过D9的稳压管稳定三级管基级电压,实现发射级与低之间的稳压状态。
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