[发明专利]导电部件形成和结构有效
| 申请号： | 201811200185.5 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109860100B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 汪于仕;蔡纯怡;毛贤为;张根育;蔡明兴;林威戎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一般而言，本发明实施例提供涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件的示例性实施例以及用于形成这些导电部件的方法。在实施例中，沿着侧壁形成阻挡层。沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻阻挡层的部分之后，沿着侧壁平滑阻挡层的上部。沿着阻挡层和在阻挡层的平滑的上部上方形成导电材料。本发明实施例涉及导电部件形成和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 部件 形成 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：沿着侧壁形成阻挡层；沿着所述侧壁回蚀刻所述阻挡层的部分；在回蚀刻所述阻挡层的所述部分之后，沿着所述侧壁平滑所述阻挡层的上部；以及沿着所述阻挡层和在所述阻挡层的平滑的所述上部上方形成导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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