[发明专利]一种高介电X8R陶瓷介质材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811200578.6 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109081693B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 张永刚;张永强 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;C04B35/495
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 张彩琴;李晓娟
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及陶瓷介质材料领域,具体是一种高介电X8R陶瓷介质材料及其制备方法。是由重量百分比为5‑20%的Sc2O3和重量百分比80‑95%的K2Sr4Nb6O20组成的。本发明所提供的高介电X8R陶瓷介质材料,K2Sr4Nb6O20系介质陶瓷具有适中的烧结温度,一般在1250℃左右、具有较高的介电常数、可调的容量温度系数和较低的损耗,是一种性能优异的介质陶瓷材料。本发明选择K2Sr4Nb6O20系统,采取添加Sc2O3为掺杂改性的方法,使其满足性能X8R标准的同时,具有介电常数高、介电损耗低、无铅环保的优势。
搜索关键词: 一种 高介电 x8r 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高介电X8R陶瓷介质材料,其特征在于,是由重量百分比为5‑20%的Sc2O3和重量百分比80‑95%的K2Sr4Nb6O20组成的。
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