[发明专利]一种硅片位置信息采集系统以及方法有效
申请号: | 201811202376.5 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109300816B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 夏子奂;连超;曹炼生;王秋瑾 | 申请(专利权)人: | 上海集迦电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201206 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅片位置信息采集系统以及方法,包括装置基板、分布在所述装置基板设置的多个测量模块、在所述装置基板设置的采集模块,所述测量模块用于测量硅片位置信息,所述采集模块用于采集所述硅片位置信息,所述多个测量模块通过多个导线连接所述采集模块,其中,所述测量模块为位置传感器,其通过机械手将其遍历硅片摆放位置的同时采集硅片位置信息,获得硅片位置与机械手位移的对应信息,并通过所述传输模块将硅片位置信息上传至上位系统内,机械手调整摆放硅片位置,完成硅片定位。本发明操作简单,使用方便,功能强大、定位准确、采集效率高,具有极大的商业价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 位置 信息 采集 系统 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅片位置信息采集装置(1),其特征在于,包括装置基板(11)、分布在所述装置基板(11)设置的多个测量模块(12)、在所述装置基板(11)设置的采集模块(13),所述测量模块(12)用于测量硅片位置信息,所述采集模块(13)用于采集所述硅片位置信息,所述多个测量模块(12)通过多个导线(14)连接所述采集模块(13),其中,所述测量模块(12)为位置传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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