[发明专利]三维存储器在审
| 申请号： | 201811202855.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109360826A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 华子群;夏志良;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器，包括：位于衬底上沿第一方向延伸的一个或多个阵列共源极；以及位于所述一个或多个阵列共源极上的第一导电图案，包括：沿第二方向延伸的一个或多个连接线，电连接至少一个所述阵列共源极；沿所述第二方向延伸并且位于所述一个或多个连接线两侧的伪连接线；以及沿所述第二方向延伸并且位于所述伪连接线两侧的多个位线。本发明的三维存储器中的连接线的两侧均布置有伪连接线，降低了连接线与位线的短路风险。另外，由于连接线的两侧均布置有伪连接线，在使用自对准双重图形化等工艺来形成第一导电图案时，提供了工艺窗口保护。此外，连接线可以具有较大的宽度，降低了其电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 连接线 方向延伸 三维存储器 共源极 导电图案 多个阵列 双重图形化 工艺窗口 短路 电连接 自对准 个位 衬底 电阻 位线 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，包括：位于衬底上沿第一方向延伸的一个或多个阵列共源极；以及位于所述一个或多个阵列共源极上的第一导电图案，包括：沿第二方向延伸的一个或多个连接线，电连接至少一个所述阵列共源极；沿所述第二方向延伸并且位于所述一个或多个连接线两侧的伪连接线；以及沿所述第二方向延伸并且位于所述伪连接线两侧的多个位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
