[发明专利]一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构在审
| 申请号： | 201811203118.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109461800A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 贾志刚;卢太平;董海亮;梁建;马淑芳;贾伟;李天保;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳;赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子材料领域，提供了一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区、电子阻挡层和P‑GaN层，所述含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。通过在InGaN量子点LED外延结构中引入应变补偿结构，本发明带来如下有益效果：(1)消除了多层量子点结构中的应变积累；(2)提高了InGaN量子点生长的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 垒层 应变补偿 量子点 量子点有源区 应变补偿层 量子点层 半导体光电子 蓝宝石衬底层 电子阻挡层 量子点结构 材料领域 晶格常数 可控性 形核层 多层 生长 引入 积累 | ||
【主权项】：
1.一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，其特征在于，包括由下而上依次设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区、电子阻挡层和P‑GaN层，所述含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。
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