[发明专利]一种法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器在审

专利信息
申请号: 201811203239.3 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109307659A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 欧阳征标;梁丽容;尹嘉峻;凡俊兴 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 齐则琳;张雷
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器,包括多个侧面相互连接的单元结构,单元结构包括介质层和分别设于介质层上下表面且关于介质层对称的两个金属层,金属层包括设于介质层上的两个第一金属片和两个第二金属片,两个第一金属片间隔设置,两个第二金属片间隔设置,第一金属片和第二金属片间隔设置。本发明提供的法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器,第一金属片和第二金属片使得金属层结构纵向不对称,使其电偶极子增强,与超表面结构中的磁偶极子相互作用,使得应用于具有法诺共振的超表面结构时,对周围背景折射率进行探测时具有高的灵敏度,且制备工艺简单。
搜索关键词: 金属片 介质层 共振 法诺 折射率传感器 高灵敏度 间隔设置 表面结构 单元结构 金属层 金属层结构 磁偶极子 电偶极子 上下表面 制备工艺 不对称 灵敏度 折射率 对称 探测 侧面 应用
【主权项】:
1.一种法诺共振MDM超表面高灵敏度背景折射率传感器,其特征在于,包括多个侧面相互连接的单元结构,所述单元结构包括介质层和分别设于所述介质层上下表面且关于所述介质层对称的两个金属层,所述金属层包括设于所述介质层上的两个第一金属片和两个第二金属片,两个所述第一金属片间隔设置,两个所述第二金属片间隔设置,所述第一金属片和所述第二金属片间隔设置。
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