[发明专利]一种存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811203505.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109545959A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 叶建国 | 申请（专利权）人： | 叶建国 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 范芳茗;刘静 |
| 地址： | 063100 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器件及其制作方法，该存储器件为采用柔性衬底的有机无铅铁电聚合物采用有机无铅铁电P(VDF‑TrFE)/Re1‑xLexMnO3复合薄膜的复合薄膜透明阻变存储器，包括衬底、第一电极、阻变层、铁电调控层和第二电极。本发明采用铁电调控层加阻变层的复合薄膜以获得高性能的电阻转变特性，无需施加外磁场，达到信息存储的“铁电场非易失性高密度存储”，得到便携、环保、读写寿命长、稳定性好、低功耗、可快速读写、铁电场非易失性控制及具有高存储密度的全透明的柔性存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器件 复合薄膜 电场 非易失性 调控层 阻变层 衬底 读写 铁电 透明阻变存储器 电阻转变特性 高密度存储 柔性存储器 第二电极 第一电极 电聚合物 信息存储 低功耗 全透明 外磁场 便携 存储 施加 制作 环保 制造 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底，用于承载所述存储器件，所述衬底为柔性衬底；第一电极，所述第一电极形成于所述衬底上；阻变层，形成于所述第一电极上，用于产生电场；调控层，位于所述阻变层上，所述调控层通过电场对所述阻变层进行调控，控制阻变层的电阻转变；第二电极，所述第二电极形成于所述调控层上。
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