[发明专利]封装装置及其制作方法有效
申请号: | 201811203567.3 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN109065460B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 许哲玮;许诗滨 | 申请(专利权)人: | 恒劲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L25/065 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种封装装置,其包括一第一导线层、一第一导电柱层、一介电材料层、一第二导线层、一第二导电柱层以及一第一铸模化合物层。第一导线层具有相对的一第一表面与一第二表面。第一导电柱层设置于第一导线层的第一表面上,其中第一导线层与第一导电柱层嵌设于介电材料层内。第二导线层设置于第一导电柱层与介电材料层上。第二导电柱层设置于第二导线层上,其中第二导线层与第二导电柱层嵌设于第一铸模化合物层内。 | ||
搜索关键词: | 封装 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装装置的制作方法,其特征在于其步骤包括:提供一金属承载板,其具有相对的一第一表面与一第二表面;形成一第一导线层于该金属承载板的该第一表面上;形成一第一导电柱层于该第一导线层上;形成一介电材料层包覆该第一导线层与该第一导电柱层并位于该金属承载板的该第一表面上,其中该第一导线层与该第一导电柱层嵌设于该介电材料层内;露出该第一导电柱层;形成一第二导线层于该第一导电柱层与该介电材料层上;形成一第二导电柱层于该第二导线层上;形成一第一铸模化合物层包覆该第二导线层与该第二导电柱层并位于该介电材料层上,其中该第二导线层与该第二导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内;露出该第二导电柱层;以及移除该金属承载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造