[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811205142.6 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109638114B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间依次设置低温N型GaN层与超晶格结构，低温N型GaN层的设置可使得超晶格结构与N型GaN层之间能够良好过渡，保证在N型GaN层上生长的超晶格结构的质量，避免超晶格结构中出现过多缺陷进而影响后续生长的有源层，而超晶格结构中交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层可起到释放外延层中的应力的作用，提高外延层整体的晶体质量，并且由于铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层三者之间的晶格常数差异较大，因此三者之间的界面可对位错进行阻挡，避免位错移动至超晶格结构之后的有源层中，保证了有源层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的N型GaN层、低温N型GaN层、超晶格结构、有源层及P型GaN层，所述超晶格结构包括交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层，其中GaN子层中掺杂有Si元素。
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