[发明专利]一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法有效
| 申请号： | 201811205285.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109545680B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁庆瑞;王含冠;王瑞;时文灵 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：对单晶碳化硅进行全固结磨料加工，然后再进行化学机械抛光处理，获得所述高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底；其中，所述固结磨料加工包括线切割和砂轮研磨，在所述切割线上固结磨料颗粒，在所述砂轮上固结磨料颗粒。通过本发明的制备方法制得的单晶碳化硅衬底的表面粗糙度、细小划痕die占比、pit占比、bump均较低，且面型数据好，厚度偏差小、弯曲度小、翘曲度小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平整 损伤 碳化硅 衬底 快速 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：对单晶碳化硅进行全固结磨料加工，然后再进行化学机械抛光处理，获得所述高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底；其中，所述固结磨料加工包括线切割和砂轮研磨，在所述切割线上固结磨料颗粒，在所述砂轮上固结磨料颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
