[发明专利]一种超致密Cu(OH)2 有效
| 申请号： | 201811208448.7 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109402580B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;林建斌;谭先华;方涵;史铁林;汤自荣 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C18/12;C23C28/00;G01N33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于微纳制造技术领域，并公开了一种超致密Cu(OH) |
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| 搜索关键词： | 一种 致密 cu oh base sub | ||
【主权项】：
1.一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、ZnO种子层制备：在基底上沉积一层ZnO薄膜，用于后续生长ZnO催化纳米棒；S2、ZnO催化纳米棒的制备：在所述沉积有ZnO的基底置于Zn(NO3)2·6(H2O)和C6H12N4混合液中，以在所述ZnO种子层上生长ZnO催化纳米棒，其中，Zn(NO3)2·6(H2O)和C6H12N4溶液的摩尔质量浓度配比为1:5～5:1；S3、Cu种子层制备：在所述ZnO催化纳米棒表面沉积一层Cu种子层；S4、生长纳米线：将所述S3中沉积有Cu种子层的基底置于摩尔质量浓度配比为50:1～5:1的NaOH和(NH4)2S2O8混合溶液中，以在ZnO催化纳米棒的催化作用下，Cu2+和‑OH有更多的接触位点以加速Cu种子层生长Cu(OH)2纳米的速度从而获得质量更好的超致密Cu(OH)2纳米线。
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