[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811208717.X | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111063722A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘梅花 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，以定义出有源区，并对所述有源区进行掺杂；在所述有源区中形成栅沟槽；对所述栅沟槽侧壁进行离子注入和快速热氧化处理，在所述栅沟槽的表面形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层的表面形成功函数层；在所述功函数层的表面形成填充满所述栅沟槽的导电层；对所述功函数层和所述导电层进行交互刻蚀，得到字线；以及在所述字线上沉积绝缘介质层。本发明的半导体结构及其制造方法通过增大栅极氧化层的侧壁厚度，可降低栅漏重叠区域电场强度，改善GIDL效应发生的可能性，从而减小器件处于关闭状态时的漏电流，降低静态功耗，延长器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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