[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811209024.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109509828B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;葛永晖;肖杨;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括发光二极管芯粒和散热基座，所述发光二极管芯粒包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述发光二极管还包括砷化硼薄膜，所述砷化硼薄膜铺设在所述散热基座上，并与所述发光二极管芯粒键合。本发明可以有效降低高电流下由于热效应引入的能效损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括发光二极管芯粒和散热基座，所述发光二极管芯粒包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；其特征在于，所述发光二极管还包括砷化硼薄膜，所述砷化硼薄膜铺设在所述散热基座上，并与所述发光二极管芯粒键合。
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