[发明专利]封装半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811209108.6 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110767621A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王茂盈 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种封装半导体元件及其制备方法。该封装半导体元件包括一芯片，具有一导电垫；一第一绝缘层，设置在该芯片上；一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；一导电薄膜，设置在该第二绝缘层上；一重布层，设置在该导电薄膜上；一探测垫，设置在该重布层上；以及一第三绝缘层，设置在该重布层及该第二绝缘层上。该第三绝缘层覆盖该探测垫的一部分，且该重布层和该探测垫之间的一区域中没有底切。当需要减小探测垫的尺寸以满足持续最小化芯片尺寸的要求时，探测垫的尺寸不受底切的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 重布层 探测 封装半导体元件 导电薄膜 芯片 底切 绝缘层覆盖 导电垫 最小化 减小 制备 | ||
【主权项】：
1.一种封装半导体元件，包括：/n一芯片，包括一导电垫；/n一第一绝缘层，设置在该芯片上；/n一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；/n一导电薄膜，设置在该第二绝缘层上，其中该导电薄膜贯穿该第二绝缘层并接触该导电垫；/n一重布层，设置在该导电薄膜上；/n一探测垫，设置在该重布层上；以及/n一第三绝缘层，设置在该重布层及该第二绝缘层上；/n其中该第三绝缘层覆盖该探测垫的一部分，且该重布层和该探测垫之间的一区域中没有底切。/n
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