[发明专利]硅衬底、太阳能电池片及其形成方法、印刷网版在审
| 申请号： | 201811210081.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110459616A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张子森;王伟;董建文;李吉;吕加先;盛健 | 申请（专利权）人： | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L23/544;H01L31/042;B41F15/08;B41F15/36 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 唐清凯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201406上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅衬底、太阳能电池片及其形成方法、印刷网版。该硅衬底的一个表面具有掺杂区域；所述表面上至少具有若干个第一标记和若干个与所述第一标记形状不同的第二标记。当对该硅衬底进行二次丝网印刷时，第一次丝网印刷可以以第一标记为准进行定位；第二次丝网印刷可以以第二标记为准进行定位，从而避免了第一次丝网印刷的误差影响第二次丝网印刷，减小了两次印刷后的金属栅线的总误差。进而提升了太阳能电池片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 丝网印刷 硅衬底 太阳能电池片 光电转换效率 标记形状 掺杂区域 金属栅线 两次印刷 误差影响 印刷网版 总误差 减小 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底，其特征在于，用于太阳能电池片，所述硅衬底的一个表面具有掺杂区域；/n所述表面上至少具有若干个第一标记和若干个与所述第一标记形状不同的第二标记。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
