[发明专利]基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法

摘要

本发明涉及IGZO技术领域，特别涉及一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法，包括多路分配器的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；通过结合现有技术中将第三金属层作为触控层的制程优势基础上，将第三金属层作为顶栅运用在多路分配器结构上，进而实现提高IGZO器件沟道电子迁移率，达到提升电流和缩小多路分配器宽度设计需求大小，在节约光罩减少成本的同时又满足全面屏窄边框的需求。

主权项

1.一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，包括多路分配器的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和平坦层；所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面与第二金属层表面和第二绝缘层表面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触，其特征在于，还包括第三金属层，所述平坦层上设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层分别与所述第三绝缘层另一侧面、第二过孔的孔壁表面和平坦层表面接触。