[发明专利]一种提高半导体温度传感器测量精度的方法

摘要

本发明涉及半导体装置和温度传感器技术领域，具体是指一种提高半导体温度传感器测量精度的方法，该方法包括：在标准的校准温度点实行对关键比值参数X的校准，将其偏差值写入内置的非挥发性存储器单元中，以便该温度传感器在实际使用中能够随时读出校准时写入的偏差值而做到偏差补偿；而对于非标准校准点的校准操作，本发明将带隙基准电压VREF的经验偏差值分段，再将每段的细微偏差值写入内置非挥发性存储器单元阵列中，以便在初步测量到关键比值参数X的数值之后，能够根据预设的偏差值进行细微调整而提高温度测量精度。本发明解决了对温度传感器只能在单一标准校准点上进行校准的缺陷，避免了不同批次之间温度传感器校准不一致的困难。

主权项

1.一种提高半导体温度传感器测量精度的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1，利用电路模型产生两路与温度变化成线性关系的电压值VBE1、VBE2；S2，计算上述V_BE1、V_BE2二者的差值S3，设定比值变量X，所述比值变量S4，设定温度传感器的标准校准温度为T0，对应于该标准校准温度下，所述数学模型中的比值变量X为校准温度所对应的标准值X0，此时Sigma‑Delta AD模数转换器输出的数字代码标准值为D0；S5，当实际校准环境温度为Tn时，设定利用第n个温度传感器成品进行温度测量时，比值变量为Xn，Sigma‑Delta AD模数转换器所输出的数字代码值为Dn；S6，根据D_out＝A·μ‑B，ΔX_n＝X_n‑X₀推导得出ΔX_n的值；S7，将上述ΔXn的值与其所对应的数字标识代码Xn建立一一对应的二维表格，并写入内存地址ADDRX0中；S8，利用第n个温度传感器成品进行温度测量时，比值变量X_n与所述ΔX_n的值相叠加，根据D_out＝A·μ‑B即可计算得出经过校准后的数字代码输出值D_n。